在双栅纳米MOSFET中,输运参数对器件输运机制描述至关重要。文章主要对纳米双栅MOSFET输运的背散射系数进行研究,分别得到了器件在线性区和饱和区的背散射系数公式,并用Matlab编程体现背散射系数随沟道长度、温度和偏置电压的变化关系,文章得到的结果与已有文献给出的结果一致。
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