作者采用MCNP4B程序,对中子俘获截面测量中,由于多次散射、自屏蔽效应等引起的数据歧离修正方法进行了研究.针对在北京大学4.5MeV静电加速器上进行的152Sm(n,γ)153Sm在22~1019keV能区中子俘获截面的测量,对其多次散射及自屏蔽效应修正因子进行了计算.