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空间电荷效应对二次电子倍增影响的计算方法及装置

朱映彬; 庄宗南; 方泽江; 姚若河; 刘玉荣; 耿魁伟
华南理工大学
华南理工大学

摘要

本发明公开了一种空间电荷效应对二次电子倍增影响的计算方法及装置,其中方法包括:给定双载波射频电场的数学形式;由双载波射频电场数学形式导出二次电子的第一速度表达式;设定二次电子的发射速度和角度所服从的分布;导出能量获取的通用表达式,获取第一能量获取表达式;根据第一能量获取表达式获取第二能量获取表达式;根据给出电势分布的泊松方程求解出电势分布表达式;结合电势分布表达式和第二速度表达式获取二次电子飞行时间t的函数表达式;根据函数表达式和第二能量获取表达式获取平均碰撞能量表达式。本发明计算了空间电荷效应对单电介质层二次电子倍增的影响程度,弥补了相关研究的空白。本发明可广泛应用于真空电子器件领域。

关键词

-

出版信息

专利状态
授权
专利国别
CHINA
专利有效期
2022-3-16 ~ 2042-3-16
专利号
ZL202210256713.9
公开号
CN114692068A

学科领域

航空宇航科学与技术物理学

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