将硅片干法刻蚀技术引入设计性、研究性的普通物理实验

作者：李卫

来源：价值工程, 2010, (35): 150.

DOI：10.14018/j.cnki.cn13-1085/n.2010.35.126

• 硅
• 干法刻蚀
• 等离子体刻蚀
• 设计性
• 研究性物理实验
• 教学改革 silicon
• dry etching
• plasma etching
• designing
• investigative physics experiments
• teaching reform

对硅的干法刻蚀技术是现代半导体工业中非常重要的一项工艺。本文介绍了如何将硅片干法刻蚀技术引入到设计性、研究性的普通物理实验教学中.以及在相关实验教学的设计、实验内容的编排和教学方式等方面的一些特点。

• 出版日期2010
• 单位南京邮电大学