厚膜熔断器的电气特性模拟

作者：李继良; 邓宏; 刘理建

来源：电子元件与材料, 2009, (01): 53-55.

• 厚膜熔断器
• 电气特性
• 有限元模拟
• 误差率

利用ANSYS软件建立了高性能厚膜熔断器的有限元模型,并对其在正常工作状态下的瞬态温度场变化过程进行了数值模拟,得到熔断器引脚温升为65.30℃,电阻为0.05719Ω,发热功率为0.91504W等参数,并进行了实验验证。结果表明:实验和数值模拟的误差率为3.00%~4.00%,为熔断器的设计制造提供了方法和理论依据。

• 出版日期2009-1-5
• 单位电子科技大学