W_5Si_3作为难熔栅金属材料,在高性能GaAs电路中已有良好应用.但W_5Si_3材料的电阻率为120μΩ·cm左右,在亚微米栅工艺中使栅电阻偏高,不利于降低器件噪声,特别是在MMIC电路中的应用.故必须寻求新的低电阻率的、与GaAs有良好肖特基接触特性的难熔金属栅材料.本文介绍一种低阻Mo/WSi_x复合难熔金属栅材料的特性及与GaAs的接触性能的研究结果.包括用粉末冶金靶制备WSi_x膜和复合膜Mo/WSi_x的制备.
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