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摘要
<正> 在分子束外延的半导体材料中,普通存在着所谓卵形缺陷。其密度可以达到10~4/cm~2以上,而其尺寸也可以大到100μ~2。这对电子器件的制作,势必有极大的影响。所以对这类缺陷本质的分析和研究,对分子束外延材料质量的提高,具有一定的实际意义。样品是分子束外延的不掺杂的Ga_(1-x)Al_xAs,厚度约1μm。衬底为半绝缘砷化镓。实验是在JXA-3A电子探针x-射线显微分析仪上进行的。在测定组分的同时,也进行了阴极荧光形貌和阴极荧光光谱的测量。结果如下:1.Ga_(1-x)Al_xAs的x-值与阴极荧光光谱的关系:
- 出版日期1988
- 单位中国科学院半导体研究所
