SOI电路可靠性筛选技术及失效机理研究

作者：黄龙; 刘迪; 陆坚; 顾晓峰

来源：电子与封装, 2013, 13(12): 30-34.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2013.12.008

• 可靠性筛选
• 绝缘体上硅
• 失效分析
• 光发射显微镜
• 激励源诱导故障测试

可靠性筛选是提高电子产品良率的重要技术手段。针对绝缘体上硅(SOI)技术日益广泛的应用,通过大量实验研究了SOI电路的常用筛选试验,并对失效样品进行了相应的失效机理研究。首先讨论了SOI电路失效模式和筛选方法之间的关系;其次,针对三款SOI电路分别开展了老炼应力、高温贮存及恒定加速度试验来进行可靠性筛选;最后,利用光发射显微镜、扫描电子显微镜、聚焦离子束和激励源诱导故障测试等失效分析手段,对失效样品进行了失效模式及机理分析,揭示了失效根源,为改进工艺、提高SOI电路可靠性提供了依据。

• 出版日期2013
• 单位中国电子科技集团公司; 江南大学