科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
为探究Si原子在CeO2（111）表面吸附的微观行为,采用第一性原理的方法研究了Si原子在CeO2（111）表面的吸附作用、电子结构和迁移过程,计算了Si原子在CeO2（111）表面的吸附能,最稳定及次稳定吸附位置的电子态密度与电荷密度分布、迁移激活能。计算结果表明:Si原子最易吸附于基底表层的O原子上,其中O桥位（Obri）吸附作用最强,O顶位（Ot）和O三度位（Oh）吸附强度次之。Si原子仅对其最邻近的表层O原子结构影响较大,这与Si原子及其最邻近的O原子间电荷密度重叠程度增强的结果一致。Si原子最易围绕着Ot位从Obri位向Oh位迁移,迁移所需激活能为0.849eV。
- 出版日期2018
- 单位内蒙古科技大学
