纳米氧化铜修饰的苯巴比妥分子印迹传感器的制备及其电化学性能

作者：余会成; 黄学艺; 李浩; 雷福厚; 谭学才; 韦贻春; 吴海鹰

来源：Acta Physico - Chimica Sinica, 2014, (11): 2085-2091.

• 纳米氧化铜
• 苯巴比妥
• 分子印迹聚合物
• 电聚合
• 传感器 CuO nanoparticle
• Phenobarbital
• Molecular imprinted polymer
• Electropolymerization
• Sensor

为了改善分子印迹传感器的灵敏度,在四丁基高氯酸铵的支持电解质溶液中,以甲基丙烯酸为功能单体,马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂在纳米氧化铜修饰过的玻碳电极上电聚合了一种苯巴比妥(PB)识别性能的分子印迹传感膜.采用循环伏安(CV)法、差分脉冲伏安(DPV)法及交流阻抗(EIS)法对这种纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学性能进行了研究,结果显示纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学性能完全不同.X射线衍射(XRD)证实纳米粒子为氧化铜.采用扫描电镜(SEM)对纳米氧化铜修饰过的印迹传感器的形貌进行分析,发现纳米氧化铜分散在电极表面,改善了修饰印迹传感器的识别点.差分脉冲伏安法(DPV)表...

• 出版日期2014
• 单位广州有色金属研究院; 广西民族大学