摘要

目的:观察电针曲池、足三里对局灶性脑缺血大鼠神经功能的影响,及其与Notch信号通路的相关性。方法:采用线栓法制备大鼠大脑中动脉缺血再灌注损伤模型,随机分成假手术组(SC)、缺血再灌注组(I/R)及电针治疗组(EA)。动物模型造模成功后,手术第2天开始实施干预,电针治疗组穴位取患侧曲池、足三里,应用G6805电针仪,电压峰值为6V,疏密波,频率1~20Hz,以肢体轻轻抖动为度,每次电针30min,1次/d。假手术组及缺血再灌注组不予任何治疗。采用Zea-Longa评价法评估各组神经功能,连续干预3天后处死。Western blot检测各组梗死侧大脑皮质Notch通路的中间产物Notch受体胞内片段(Notch intracellular domain,NICD)的表达。结果:EA组大鼠神经功能障碍明显改善,EA组较I/R组大脑皮质区NICD表达增多。结论:电针改善脑缺血大鼠神经功能障碍的机制可能是通过调控Notch信号通路产生的。