双向阻断的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管及制作方法

作者：张春福; 张苇杭; 张家祺; 杨国放; 武毅畅; 陈大正; 张进成; 郝跃

来源：2020-07-30, 中国, CN202010747893.1.

本发明公开了一种双向阻断的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管,主要解决现有单片异质集成Cascode结构场效应晶体管无反向阻断特性的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和SiN隔离层(4),该SiN隔离层的中间刻有隔离槽(15)；隔离槽一侧的SiN隔离层上印制有Si有源层(5),以制备Si金属氧化物半导体场效应晶体管；隔离槽的另一侧制备GaN高电子迁移率晶体管,且其漏电极(8)与AlGaN势垒层采用肖特基接触,形成双向阻断的单片异质集成Cascode结构场效应晶体管。本发明具有双向阻断特性,应用范围广,可用作汽车、航空航天、发电站的电源转换器或反相器。

• 出版日期2020-7-30
• 单位西安电子科技大学