静电感应晶闸管负阻特性的数值模拟

作者：杨军; 蒋孟衡; 杨定宇; 涂小强

来源：西南民族大学学报(自然科学版), 2006, (05): 1025-1029.

• 静电感应晶闸管
• 负阻转折
• 数值模拟

运用半导体器件数值模拟中的漂移-扩散模型,对静电感应晶闸管(SITH)的负阻转折特性进行了模拟和分析.通过对器件内场和载流子分布的模拟,揭示了SITH的负阻转折特性是源于高电平下双注入的加强以及伴随的耗尽层的收缩.模拟结果与实验结果吻合较好,对器件的设计与优化具有指导意义.

• 出版日期2006-10-30
• 单位成都信息工程大学