一步法制备的ZnO-硼硅酸铅锌玻璃压敏电阻电性能研究

作者：吴隽; 谢长生; 柏自奎; 张杰; 宋武林; 王爱华

来源：传感技术学报, 2004, 17(01): 26-30.

DOI：10.3969/j.issn.1004-1699.2004.01.007

• 四足状
• ZnO
• 纳米
• 压敏电阻

以四足状纳米ZnO粉末为原料 ,以制备硼酸铅锌玻璃的氧化物替代硼酸铅锌玻璃直接进行共烧结 ,制备出了ZnO 硼硅酸铅锌玻璃压敏电阻 ,并对其电性能进行了研究。研究结果表明 :最佳添加量为 13 0wt%～ 17 4wt%。当添加量在 13 0wt%～ 17 4wt%时 ,在 90 0～ 1170℃温度范围 ,烧结温度对压敏电阻的漏电流IL 和非线性系数α的影响很小。含 13 0wt%添加剂的样品 ,其最大非线性系数α和最小漏电流IL 分别为 38 7和 1 7μA。烧结温度的降低主要源自于纳米ZnO粉末和添加了硼酸铅锌玻璃“形成”氧化物。

• 出版日期2004
• 单位材料学院; 华中科技大学