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摘要
<正>近日,中国科学技术大学谢毅教授团队、吴长征教授课题组与曾晓成教授、中国科学院强磁场科学中心研究组合作,通过阴离子固溶技术实现了二维纳米材料的自旋和能带结构的本征调控,获得了目前二维纳米材料中最高的负磁电阻效应,该现象的发现有可能推动二维材料在自旋电子器件的进展。该成果发表在10月6日的Physical Review Letters上。基于电子自旋自由度调控的巨磁阻材料,能实现信息高密度存储和高速读写,是整个信息产业的核心。随着人们对电子器件高集成度和小型化日益增长的需求,在更小的材料尺度实现磁阻效应成为追逐目标。
- 出版日期2014
- 单位中国科学技术大学
