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摘要
本发明公开了一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法,包括以下步骤：利用化学清剂将InAs单晶片表面清洗干净,并利用酸刻蚀法去除表面氧化层和无机物；将处理干净的InAs单晶片放入沉积设备中,沉积一层金属扩散层；将沉积了金属扩散层的InAs单晶片放入石英管中,并抽真空后密封；将真空封闭的石英管放入加热设备中恒温加热,加速扩散过程；将加热过的石英管切割开后,取出InAs单晶片,并用酸性液体刻蚀掉多余金属。用化学洗剂将InAs单晶片清洗干净,完成制备。利用本发明,能够制备出InAs体单晶的温度在300K以上的铁磁性半导体材料,且整个制备过程中所使用的设备都是技术成熟,产业常用的设备,而且缩短了制备成本和制备时间,非常利于推广。
- 出版日期2009-12-2
- 单位中国科学院半导体研究所
