AlN/蓝宝石模板上生长的GaN研究

作者：汪莱; 王磊; 任凡; 赵维; 王嘉星; 胡健楠; 张辰; 郝智彪; 罗毅

来源：Acta Physica Sinica, 2010, (11): 8021-8025.

• 氮化镓
• 氮化铝
• 金属有机物化学气相外延 GaN
• AlN
• metal organic vapor phase epitaxy

研究了在分子束外延制备的AlN/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和原子力显微镜研究了AlN模板的晶体质量和表面相貌对GaN的影响.结果表明,当AlN的表面粗糙度较小时,尽管AlN模板的位错密度较高((102)面XRDω扫描半高全宽900—1500arcsec),但生长得到的GaN依然具有和在蓝宝石衬底上采用"二步法"生长的GaN可比拟的晶体质量((002)面XRDω扫描半高全宽200—300arcsec,(102)面400—500arcsec)和表面粗糙度(0.1—0.2nm).TEM照片表明GaN中位错密度降...

• 出版日期2010
• 单位清华大学