Al组分对MOCVD制备的Al_xGa_(1-x)N/AlN/GaNHEMT电学和结构性质的影响

作者：陈翔; 邢艳辉; 韩军; 霍文娟; 钟林健; 崔明; 范亚明; 朱建军; 张宝顺

来源：发光学报, 2013, (12): 1646-1650.

• Al组分
• AlGaN
• 高电子迁移率晶体管
• 电学性质
• MOCVD Al composition
• AlGaN
• HEMT
• electrical properties
• MOCVD

采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的Al x Ga1-x N/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了Al x Ga1-x N势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表明,在一定的Al组分范围内,二维电子气(2DEG)浓度和迁移率随着Al组分的升高而增大。然而,过高的Al组分导致HEMT材料表面粗糙度增大,2DEG迁移率降低,该实验现象在另一方面得到了原子力显微镜测试结果的验证。在最佳Al组分(25%)范围内,获得的HEMT材料的2DEG浓度和室温迁移率分别达到1.2×1...

• 出版日期2013
• 单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 北京工业大学