a-Si(n)/c-Si(p)异质结电池非晶层的模拟优化

作者：吴国盛; 王振文; 闻腾; 刘淑平

来源：科技创新与生产力, 2012, (10): 87-90.

• afors-het
• 异质结电池
• 发射层
• 界面态
• 本征层 afors-het
• hetero-junction battery
• emission layer
• interface state
• intrinsic layer

采用afors-het数值模拟软件,针对a-Si(n)/a-Si(i)/c-Si(p)电池结构的非晶层主要参数,模拟研究并讨论了异质结电池的发射层厚度、发射层掺杂浓度、界面态和本征非晶层。提出了如下结论:发射层厚度主要影响短波光子吸收;随着厚度的增加,电池性能均下降;发射层重掺杂是获得好的转化效率的一个条件;界面态较低时对电池性能影响不大,当达到1014cm-2·eV-1时,电池性能很差;高质量的本征非晶层可以有效钝化硅片,降低界面态密度,提高电池性能,但应控制一定厚度内。

• 出版日期2012
• 单位太原科技大学