电子束蒸发制备的ZnS薄膜的物相结构和光学性能

作者：彭柳军; 杨培志; 自兴发

来源：云南师范大学学报(自然科学版), 2014, 34(02): 26-29.

• ZnS薄膜
• CIGS太阳电池
• 无镉缓冲层
• 电子束蒸发
• 物相结构
• 光学带隙

用电子束蒸发法在不同衬底温度下制备了厚度为100nm左右的ZnS薄膜,利用X射线衍射(XRD)、紫外—可见光分光光度计(UV-vis Spectrophotometer)研究了ZnS薄膜的晶体结构、光学性能,分析了衬底温度对ZnS薄膜结构与光学特性的影响.结果表明:不同衬底温度下制备的ZnS薄膜均具有闪锌矿结构(111)面择优取向生长的特征;衬底温度为200℃时制备的ZnS薄膜的(111)晶面衍射峰最强,半高宽最小,晶粒最大;制备的ZnS薄膜对可见光有良好的透过性,由于量子尺寸效应,电子束蒸发制备的ZnS薄膜光学带隙大于ZnS粉末的带隙.

• 出版日期2014
• 单位云南师范大学