目的探讨S100B在早期放射性脑损伤中的变化特征。方法对大鼠予4MeV电子线分别单次全脑照射2、10、30Gy制备大鼠早期放射性脑损伤模型。应用免疫组织化学技术观察大鼠全脑不同剂量照射后1个月内不同时间点脑组织中S100B的变化。结果大鼠全脑照射后,脑组织中S100B表达水平随照射剂量加大而增加。结论全脑照射后,高照射剂量脑组织的S100B呈高表达。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
