摘要

本发明公开了一种硅兼容双极性异质结紫外-近红外双波段光电探测器及其制备方法,该探测器的结构为:在单晶硅衬底的上、下表面皆设置有SiO-2绝缘层;在各层SiO-2绝缘层的中心皆形成一盲孔;在上层盲孔内沉积有二维2H-MoSe-2材料,在下层盲孔内沉积有二维1T-WS-2材料,两种材料与单晶硅衬底形成2H-MoSe-2/Si/1T-WS-2双极性异质结;上层二维2H-MoSe-2材料和下层二维1T-WS-2材料外表面分别设置有顶电极和底电极。本发明所制备的探测器具有在紫外和近红外双波段的窄带响应,且响应速度快、易集成。