压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察

作者：吴亚桥; 徐永波

来源：电子显微学报, 1998, (05): 81-82.

• 非晶化
• 晶体硅
• 压痕
• 透射电子显微镜
• 维氏
• 透射电镜
• 非晶硅
• 衬度
• 选区电子衍射
• 非晶区

晶体硅在高压下会发生相变［１］。显微压痕实验能够产生极大的压强（ＧＰａ级），有可能诱发硅的相变［２］。Ｃｌａｒｋｅ等人首次利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）在微观尺度上给出了单晶硅上维氏显微压痕的平视形貌像（ｐｌａｎ－ｖｉｅｗ）［３］，指出压痕中心已经发生...

• 出版日期1998
• 单位中国科学院金属研究所