N_2气氛下快速退火(RTA)对硅片氧沉淀密度和表面形貌的影响

作者：冯泉林; 周旗钢; 王敬; 刘斌; 刘佐星

来源：稀有金属, 2005, (06): 810-813.

• 硅抛光片
• 洁净区
• 氧沉淀
• 内吸杂
• 原子力显微镜
• 微粗糙度 silicon polished wafer
• denuded zone
• oxygen precipitates
• intrinsic gettering
• atomic forced microscopy
• micro-rounghness

快速退火(RTA)单晶硅片时,硅片内部会形成一种特殊的空位分布。空位的分布将决定后序两步退火(800℃,4 h+1000℃,16 h)后生成的洁净区宽度和氧沉淀密度。研究了N2气氛下,不同RTA恒温时间对洁净区形成和氧沉淀密度的影响。发现延长RTA恒温时间,会增加氧沉淀密度。使用原子探针显微镜(原子力显微镜)研究了RTA后表面形貌的变化。发现在N2气氛下RTA处理过的硅片,表面微粗糙度略有增加。

• 出版日期2005
• 单位北京有色金属研究总院