碲锌镉晶片机械研磨和机械抛光工艺研究

作者：彭兰; 王林军; 闵嘉华; 张继军; 陈军; 梁小燕; 严晓林; 夏义本

来源：功能材料, 2011, (05): 880-883+887.

• 碲锌镉
• 机械研磨
• 机械抛光
• 研抛速度
• 粗糙度 CdZnTe
• mechanical lapping
• mechanical polishing
• lapping and polishing rate
• roughness

研究了碲锌镉(CZT)晶片表面的机械研磨和机械抛光工艺。采用不同粒度的Al2O3磨料对CZT晶体表面进行机械研磨和机械抛光,并研究了工艺参数变化对CZT晶体表面质量、粗糙度、研磨速度和抛光速度的影响。结果表明,机械研磨采用粒度2.5μm的Al2O3磨料,最佳的研磨压力和研磨盘转速分别为120g/cm2和75r/min,研磨速度为1μm/min;机械抛光采用粒度0.5μm的Al2O3抛光液,最佳的抛光液浓度为6.5%(质量分数),抛光速度为0.28μm/min。AFM测试得到机械研磨后晶片表面粗糙度Ra值为13.83nm,机械抛光4h后,Ra降低到4.22nm。

• 出版日期2011
• 单位上海大学