不同形状InN/GaN量子点应变场的有限元分析

作者：闫明雪; 赵博; 李辉; 张斯钰; 马祥柱; 曲轶

来源：半导体光电, 2011, (02): 212-215.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2011.02.015

• 有限元
• InN/GaN量子点
• 应变
• 应变能 finite element
• InN/GaN quantum dots
• strain
• strain energy

量子点中的应变场分布对量子点的力学稳定性、压电性能以及光电性能有着重要的影响。基于有限元方法,并考虑了InN/GaN材料的六方纤锌矿结构特性,分别对透镜形、平顶六角金字塔形和六角金字塔形量子点的应变分布进行了比较,结果表明应变主要集中在浸润层和量子点内,在讨论量子点中电子能级时必须考虑浸润层的影响。量子点内的应变分布及静水应变和双轴应变受几何形状的影响明显。此外还计算了三种形状量子点的总能量,六角金字塔形量子点总能量最小,而透镜形量子点总能量最大,因此六角金字塔形是最稳定的结构,而透镜形是最不稳定的结构。

• 出版日期2011
• 单位长春理工大学