电子束纳米光刻技术研究

作者：刘玉贵; 王维军; 罗四维

来源：微纳电子技术, 2003, Z1: 562-563.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2003.z1.166

• 电子束光刻
• 纳米图形
• 剥离技术 e beam lithography
• nano features
• metal lift off

纳米光刻技术在微电子制作中起着关键作用 ,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。我们使用VB5电子束曝光系统 ,经过工艺研究 ,现已研究出最细分辨率剥离金属条为 17nm ,最小剥离电极间距为 10nm ,最细T型栅为 10 0nm。

• 出版日期2003
• 单位中国电子科技集团公司第十三研究所