低速Xeq+(4≤q≤20)离子与Ni表面碰撞中的光辐射

作者：徐秋梅; 杨治虎; 郭义盼; 刘会平; 陈燕红; 赵红赟

来源：Acta Physica Sinica, 2018, 67(08): 60-67.

• 高电荷态离子
• 可见光谱
• 光子产额
• 势能

实验中测量了0.38VBohr(460 keV)高电荷态Xeq+(4≤q≤20)离子轰击高纯Ni表面发射的400-510 nm光谱.实验结果包括NiⅠ原子谱线,NiⅡ离子谱线,以及入射离子中性化发射的XeⅠ,XeⅡ和XeⅢ谱线.研究了谱线XeⅡ410.419,XeⅢ430.444,XeⅡ434.200,XeⅡ486.254,NiⅠ498.245,NiⅠ501.697,NiⅠ503.502,NiⅠ505.061和NiⅠ508.293 nm的光子产额随着入射离子电荷态的变化.结果表明,入射离子中性化和溅射Ni原子发射谱线的光子产额随着入射离子电荷态的增加而增加,其趋势与入射离子势能一致.

• 出版日期2018
• 单位南京航空航天大学; 航天学院; 中国科学院近代物理研究所; 中国科学院大学