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Achieving Low-Recovery Time in AlGaN/GaN HEMTs With AlN Interlayer Under Low-Noise Amplifiers Operation

作者：Huang Tongde; Axelsson Olle; Bergsten Johan; Thorsell Mattias; Rorsman Niklas
来源：IEEE Electron Device Letters, 2017, 38(7): 926-928.
DOI：10.1109/LED.2017.2709751
  • 出版日期2017-7

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更新时间：2024-03-30 02:28