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A 1T Dynamic Random Access Memory Cell Based on Gated Thyristor with Surrounding Gate Structure for High Scalability (vol 18, pg 5919, 2018)
作者：Kim Hyungjin; Kim Sihyun; Kim Hyun Min; Lee Kitae; Kim Sangwan; Park Byung Gook
*
来源：
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
, 2018, 18(10): 7315-7315.
DOI：10.1166/jnn.2018.16036
出版日期
2018-10
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