本发明公开了一种碳化硼基复合陶瓷材料及其制备工艺,该复合陶瓷材料由B4C、Ti3SiC2及Si经真空热压烧结工艺制备而成,其原料按体积百分数的配比为Ti3SiC2粉9.4-25％,Si粉6.3-16.7％,余量为B4C粉。本发明利用B4C与Ti3SiC2及Si原位反应生成晶粒细小且在B4C基体中分布均匀TiB2和SiC强韧化相,有效抑制了B4C晶粒长大,具有致密度高、电导率好、综合力学性能优异等特点,具有较高的实用价值。
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