(100)取向AlN薄膜的制备及其压电性能研究

作者：尹涛涛; 杨保和; 李翠平; 王进

来源：光电子-激光, 2012, (07): 1327-1332.

DOI：10.16136/j.joel.2012.07.002

• AlN薄膜
• 射频磁控溅射
• 压电性能
• (100)择优取向 AlN film
• radio frequency(RF) magnetron sputtering
• piezoelectric properties
• (100) preferential orientation

采用射频磁控溅射法,在Si(100)衬底(含Au导电层)上制备了(100)取向的AlN薄膜并研究了工作压强和溅射功率对制备的AlN薄膜性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜结构特性,结果表明,在一定范围内,工作压强的增加和溅射功率的减小更有利于AlN(100)晶面择优取向的生长。利用压电力显微镜(PFM)对AlN薄膜的形貌和压电性能进行了表征,发现(100)择优取向的AlN薄膜的压电性主要表现在薄膜面内方向上。

• 出版日期2012
• 单位天津理工大学