快中子辐照硅中双空位的退火行为研究

作者：杨帅; 邓晓冉; 徐建萍; 陈贵锋; 闫文博

来源：硅酸盐通报, 2010, (04): 779-783.

DOI：10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2010.04.008

• 辐照缺陷
• 硅
• 双空位
• FTIR irradiated defect
• silicon
• divacancies
• FTIR

本文利用傅立叶变换红外光谱技术(FTIR)及正电子湮没谱技术(PAS)对快中子辐照硅中的双空位(V2)的退火行为作了详细研究。研究发现区熔硅中双空位在250℃热处理会通过相互连接形成链状而在红外光谱中消失,提高退火温度到350~450℃,它们将进一步结合形成具有三维结构的四空位型缺陷;而在直拉硅中双空位主要通过捕获间隙氧或A中心(VO)形成V3O复合体而消失。

• 出版日期2010
• 单位浙江大学; 河北工业大学; 材料科学与工程学院; 硅材料国家重点实验室; 天津理工大学; 天津职业技术师范大学