单轴压应变量子阱红外探测器吸收波长的研究

作者：张家鑫; 许丽萍; 温廷敦; 王忠斌

来源：半导体技术, 2011, (02): 116-118.

• 量子阱红外探测器
• 电子干涉模型
• 单轴应力
• 应变
• 吸收波长 quantum well infrared photodetector(QWIP)
• model of electron interference
• uniaxial stress
• strain
• absorption wavelength

研究了单轴压应力对GaAs/AlGaAs/GaAs量子阱红外探测器(QWIP)吸收波长的影响。以量子阱电子干涉方法以及单轴压应力作用下量子阱应变理论为基础,分析了GaAs/AlGaAs/GaAs量子阱导带中子能级与应变的关系。理论上计算了单轴应力下四个QWIP吸收波长与应变的关系。结果表明,E1与E<1>能级之间的吸收波长和E(1)与EF能级之间的吸收波长随应变的增大而减小的幅度比E1与EF能级之间的吸收波长和E(0)与E1能级之间吸收波长随应变的增大减小的幅度大。

• 出版日期2011
• 单位中北大学