基于InAs/GaSb异质结的量子阱隧穿场效应晶体管及其制备方法

作者：吕红亮; 李苗; 吕智军; 芦宾; 朱翊; 张玉明

来源：2020-04-26, 中国, CN202010339589.3.

本发明公开了一种基于InAs/GaSb异质结的量子阱隧穿场效应晶体管及其制备方法,制备方法包括：选取GaSb衬底；在GaSb衬底内形成漏区；在GaSb衬底内形成源区；对包括源区和漏区的整个GaSb衬底表面进行快速热退火,并对整个GaSb衬底表面进行预处理；在整个GaSb衬底表面生长一InAs材料,并刻蚀InAs材料形成InAs沟道层；在InAs沟道层表面淀积栅氧化层；在栅氧化层上形成栅电极；刻蚀栅氧化层,并分别在源区和漏区形成源电极和漏电极。本发明制备得到的TFET,InAs沟道层厚度只有5～25nm,形成InAs量子阱,量子化效应使得InAs导带分裂成多个能级,呈现二维状态,使得TFET中载流子是从3-D的GaSb源区隧穿到2-D的InAs沟道层中量子化的能级上,使得TFET器件的隧穿过程会更加突然,亚阈摆率更加陡峭。

• 出版日期2020-4-26
• 单位西安电子科技大学