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摘要
本文应用太赫兹时域光谱技术(THz-TDS)研究了N型和P型具有<100>和<111>不同晶向的单面抛光和双面抛光的低阻(电阻率为1~5Ω·cm)单晶硅在太赫兹波段的光学性质。结果表明,在具有相同晶向和电阻率的不同掺杂类型的单晶硅中P型硅的折射率大于N型硅,并且单面抛光的大于双面抛光。为太赫兹时域光谱技术在单晶硅的掺杂类型和晶向的鉴别方面提供了有效快速的实验方法。
- 出版日期2013
- 单位中国石油大学（北京）
本文应用太赫兹时域光谱技术(THz-TDS)研究了N型和P型具有<100>和<111>不同晶向的单面抛光和双面抛光的低阻(电阻率为1~5Ω·cm)单晶硅在太赫兹波段的光学性质。结果表明,在具有相同晶向和电阻率的不同掺杂类型的单晶硅中P型硅的折射率大于N型硅,并且单面抛光的大于双面抛光。为太赫兹时域光谱技术在单晶硅的掺杂类型和晶向的鉴别方面提供了有效快速的实验方法。
