科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
在对ｒｆ一溅射制得的掺ＳｎＯ２和Ｉｎ２Ｏ３薄膜（ＩＴＯ）的电性能进行测量时，发现样品的方块电阻（Ｒ□）经热处理后明显下降．为此我们用ＴＥＭ对薄膜的显微结构进行了动态观察，在观察的过程中随电子束的轰击发现有多晶化转变，即在电子束轰击后薄膜由主要以非晶态构成的结构变成了主要为平均晶粒尺寸约５０ｎｍ的多晶态结构．本文对这一薄膜显微结构的变化与其电性能之间的关系进行了详细地讨论．
- 出版日期1996
- 单位中国科学院上海硅酸盐研究所
在对ｒｆ一溅射制得的掺ＳｎＯ２和Ｉｎ２Ｏ３薄膜（ＩＴＯ）的电性能进行测量时，发现样品的方块电阻（Ｒ□）经热处理后明显下降．为此我们用ＴＥＭ对薄膜的显微结构进行了动态观察，在观察的过程中随电子束的轰击发现有多晶化转变，即在电子束轰击后薄膜由主要以非晶态构成的结构变成了主要为平均晶粒尺寸约５０ｎｍ的多晶态结构．本文对这一薄膜显微结构的变化与其电性能之间的关系进行了详细地讨论．
