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摘要
大剂量 (4× 10 1 6 cm- 2 )的 Ge离子在 77K低温下被注入于 (10 0 )硅片中 ,并结合随后的 10 80℃快速热处理(RTP)以形成 Si/ Si Ge异质结构 .用卢瑟福背散射技术和二次离子质谱技术研究注锗硅片退火前后 Ge的分布 .结果表明 ,快速热处理退火不仅能使注锗硅片发生固相外延生长 ,表层形成合金层 ,而且导致 Ge向表面的质量运输 .最终出现平台式的 Ge分布形态 .快速热处理后 Ge这种再分布被认为有利于提高 HBT的增益和获得表面应变沟道
- 出版日期2004
- 单位北京有色金属研究总院
