电压和电极间距对BDD电极电化学氧化效率的影响

作者：程川; 高宝红; 张男男; 杨志欣; 孙铭斌; 檀柏梅

来源：微纳电子技术, 2014, (12): 803-806.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2014.12.010

• 掺硼金刚石(BDD)薄膜电极
• 电化学
• 氧化效率
• 电解电压
• 电极间距 boron-doped diamond(BDD)thin film electrode
• electrochemical
• oxidation effi-ciency
• electrolysis voltage
• electrode space

掺硼金刚石(BDD)薄膜电极具有很宽的电势窗口、很小的背景电流、很高的电化学稳定性、其电化学响应在很长时间内保持稳定以及耐腐蚀等优点。采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法制备掺硼金刚石薄膜,并用金相显微镜、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)这三种测试方式进行表征。BDD薄膜电极在电解过程中消耗很多能量。从提高氧化效率来降低能耗的角度出发,研究了电压及电极间距对BDD薄膜电极电化学氧化效率的影响。通过实验得出电压在5~13 V时电化学氧化效率会随着电压的升高而升高;电极间距在0.5~4 cm时电化学氧化效率随着电极间距的增大而降低。

• 出版日期2014
• 单位河北工业大学