齐聚[3,2-b]并二噻吩的合成、表征及其在有机薄膜晶体管中的应用

作者：杨宝麟; 田洪坤; 宋德; 闫东航; 耿延候; 王佛松

来源：分子科学学报, 2009, (03): 153-157.

DOI：10.13563/j.cnki.jmolsci.2009.03.017

• [3
• 2-b]并二噻吩
• 有机半导体
• 有机薄膜晶体管 thieno[3
• 2-b]thiophene
• organic semiconductor
• organic thin film transistors

通过Stille偶联反应合成了5,5″-二辛基-2,2′∶5′2″-三联[3,2-b]并二噻吩,并对该化合物的物理化学性质以及真空蒸镀薄膜的结构和形貌进行了详细表征.以这一化合物作为半导体层、采用顶电极结构制备了有机薄膜晶体管,并对薄膜生长基底温度做了优化,发现基底温度为100℃时器件性能最好,迁移率达到0.13 cm2/V.s,开关比为7×103,阈值电压为-19V.

• 出版日期2009
• 单位高分子物理与化学国家重点实验室; 中国科学院研究生院; 中国科学院长春应用化学研究所