登录
免费注册
首页
论文
论文详情
赞
收藏
引用
分享
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
DLTS analysis of amphoteric interface defects in high-TiO2 MOS structures prepared by sol-gel spin-coating
作者:Kumar Arvind; Mondal Sandip; Rao K S R Koteswara
来源:
AIP Advances
, 2015, 5(11): 117122.
DOI:10.1063/1.4935749
出版日期
2015-11
全文
全文
访问全文
相似论文
引用论文
参考文献