4H-SiC金属-半导体场效应晶体管大信号I-V特性和小信号参数的计算

作者：王平; 杨银堂; 刘增基; 尚韬; 郭立新

来源：计算物理, 2011, (01): 145-151.

DOI：10.19596/j.cnki.1001-246x.2011.01.021

• 碳化硅
• 金属-半导体场效应晶体管
• 电流-电压特性
• 小信号参数
• 模型 silicon carbide
• metal-semiconductor field effects transistor
• current voltage characteristics
• small signal parameters
• model

基于碳化硅金属-半导体场效应晶体管内部载流子输运的物理特性分析,建立适于精确计算4H-SiCMESFET器件大信号电流-电压特性和小信号参数的解析模型.该模型采用场致迁移率、速度饱和近似,并考虑碳化硅中杂质不完全离化效应及漏源串联电阻的影响,栅偏置为0 V时,获得最大跨导约为48 mS.mm-1.计算结果与实验数据有很好的一致性.该模型具有物理概念清晰且计算较为准确的优点,适于SiC器件以及电路研究使用.

• 出版日期2011
• 单位西安电子科技大学