(100)应变对正交相Ca_2P_(0.25)Si_(0.75)能带结构及光学性质的影响

作者：岑伟富; 杨吟野; 范梦慧; 姚娟; 黄金保

来源：信息记录材料, 2014, (03): 30-36.

DOI：10.16009/j.cnki.cn13-1295/tq.2014.03.002

• 应变
• 能带结构
• 光学性质
• c
• 第一性原理 strained
• energy band structure
• optical properties
• Ca2P0.25Si0.75
• first-principle

采用第一性原理贋势平面波方法对(100)应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算。计算结果表明:(100)面在晶格发生100%~116%张应变时,带隙随着应变增加而减小;在晶格发生96%~100%压应变时,带隙随着张应变的增加而增加;88%~96%压应变时,带隙随着压应变的增加而减小;当压应变大于88%后转变为间接带半导体。当施加应变后光学性质发生显著的变化:随着压应变的增加静态介电常数、折射率逐渐减小,张应变则反之。施加压应变反射向低能方向偏移,施加张应变反射向高能方向偏移,但施加应变对反射区域的影响不显著。施压应变吸收谱、光电导率的变化与介电函数和折射率相反...

• 出版日期2014
• 单位贵州民族大学