电针对脑缺血再灌注大鼠脑组织细胞线粒体膜电位及凋亡的影响

作者：陈小娱; 张秋玲; 白波

来源：针刺研究, 2008, (02): 107-110.

• 脑缺血再灌注损伤
• 电针
• 线粒体膜电位
• 细胞凋亡 Cerebral ischemia/reperfusion
• Electroacupuncture
• Mitochondrial membrane potential
• Apoptosis

目的:探讨针刺对脑缺血再灌注大鼠神经元保护作用的机制。方法:雄性SD大鼠36只,随机分为假手术组(Sham)、脑缺血再灌注组(CI/R)及脑缺血再灌注+电针组(CI/R+EA),每组12只。采用改良线栓法制备局灶性脑缺血(MCAO)再灌注模型。于再灌流开始后,CI/R+EA组电针"水沟""百会"穴,电针参数:频率2~15 Hz,间断疏密波,电流强度1 mA,以局部肌肉轻微震颤为度,时间30 min。以罗丹明123和Annexin V-FITC进行荧光染色,通过流式细胞仪检测细胞内荧光强度,分析脑组织细胞线粒体膜电位及凋亡发生率的变化。结果:CI/R组大鼠大脑皮层细胞线粒体膜电位明显低于假手术组...

• 出版日期2008
• 单位山东第一医科大学