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Atomic-scale planarization of 4H-SiC (0001) by combination of thermal oxidation and abrasive polishing (vol 103, 111603, 2013)

作者：Deng Hui; Endo Katsuyoshi; Yamamura Kazuya*
来源：Applied Physics Letters, 2013, 103(18): 189901.
DOI：10.1063/1.4827997
  • 出版日期2013-10-28

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更新时间：2018-01-19 13:43