第一性原理研究BiNbO_4晶体的电子结构和光学性质

作者：周朝彪; 冉扬强; 吴刚; 付文羽; 郑兴荣

来源：原子与分子物理学报, 2015, (04): 669-674.

• 第一性原理
• BiNbO4
• 电子结构
• 光学性质 First-principles
• BiNbO4
• Electronic structure
• Optical properties

此文用密度泛函理论的平面波赝势方法研究Bi Nb O4的电子结构和光学性质.获得了Bi Nb O4是一种禁带宽度为2.74 e V的直接带隙半导体,价带顶主要是由O-2p态与Bi-6s态杂化而成,而导带底主要是由Nb-4d态构成等有益结果;还分析得出介电函数、复折射率、能量损失等光学性质与电子态密度、能带结构存在内在的联系.

• 出版日期2015
• 单位西南大学; 陇东学院