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摘要
本实用新型公开了一种GaN基射频器件。所述器件包括DFN框架,所述DFN框架包括基岛、引脚栅极、引脚漏极和引脚源极,在电极方向上,引脚漏极位于基岛正面的左上方,引脚源极位于基岛正面的左下方,引脚栅极位于右下方,源极和栅极在同一水平线上；所述器件还包括GaN基射频芯片,GaN基射频芯片通过导电银浆固定在基岛上,GaN基射频芯片的内漏极、内源极和内栅极分别通过引线和DFN框架的引脚漏极、引脚源极和引脚栅极相应连接,分别作为器件漏极、器件源极和器件栅极；DFN框架外包裹有塑封料。所述封装方法选择小型化的DFN框架,通过塑料封装,使得生产成本降低、轻薄、加工简单、适合自动化生产,应用范围广泛。
- 出版日期2019-8-13
- 单位中山市华南理工大学现代产业技术研究院
