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摘要
本文研究了背面引线离子敏感场效应器件Ｂａｃｋｓｉｄｅｃｏｎｔａｃｔｉｏｎｓｅｎｓｉｔｉｖｅｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＢＳＣ－ＩＳＦＥＴ）的特殊工艺技术。重点阐述了双面光刻，各向异性腐蚀，深坑加工，腐蚀自停止等技术，实现了源漏电极从芯片背面引出，给出了扫描电镜分析照片。提出了一个合理，实用的腐蚀配方及条件：在７７℃恒温腐蚀溶液中（ＫＯＨ：ＩＰＡ：Ｈ２Ｏ＝２５．６：１６．５ｍｌ：６０ｍｌ），腐蚀约５小时３０分钟，腐蚀速率为５５μｍ／ｈ－６０μｍ／ｈ。得到了光滑、平整的坑底和坑壁，棱角分明斜度正常（５４．７°），重复性好，实验结果表明其接触电阻小于４Ω，达到ＢＳＣ－ＩＳＦＥＴ设计要...
- 出版日期1996
- 单位中国科学院电子学研究所
