单源共蒸法制备CuInS_2薄膜及特性分析

作者：李云; 李健; 谢俊叶

来源：真空, 2012, (06): 39-43.

DOI：10.13385/j.cnki.vacuum.2012.06.005

• CuInS2薄膜
• 单源共蒸发
• 热处理
• 特性分析 CuInS2 thin film
• single source co-evaporation
• heat-treatment
• characteristics analysis

将单质Cu、In和S粉末按一定比例均匀混合,单源共蒸发沉积CuInS2薄膜。氮气保护对薄膜进行热处理。研究不同热处理条件对薄膜表面形貌、化学组分及电学特性的影响。XRD分析给出直接沉积的CuInS2薄膜为黄铜矿结构,整体性能较差。经400℃、20 min热处理后,CuInS2薄膜特性得到明显的改善,导电类型呈P型,体内元素化学计量比Cu:In:S=1:0.9:1.5接近标准值,Cu含量略多,电阻率为4.8×10-2Ω.cm,薄膜的直接光学带隙1.42 eV,光吸收系数105cm-1。440℃、10 min热处理的薄膜,晶相结构没变但导电类型转为N型,元素化学计量比Cu:In:S=1:2.3:0...

• 出版日期2012
• 单位内蒙古大学