碲锌镉面元辐射探测器堆积载流子屏蔽效应

作者：肖沙里; 黎淼; 王玺; 曹玉琳; 陈宇晓; 聂玲; 张流强

来源：强激光与粒子束, 2011, (06): 1433-1436.

• 辐射成像探测
• 半导体探测器
• 碲锌镉
• 光生载流子
• 屏蔽效应
• 像素阵列 radiation imaging detection
• semiconductor detector
• CdZnTe
• photon-generated carrier
• screen effect
• pixel array

采用铑(Rh)靶45kV X射线源进行了碲锌镉(CdZnTe)面元像素阵列探测器成像实验。实验结果表明:在探测距离1mm,管电压45kV条件下,管电流增大至20μA时,辐照中心区域像素单元信号丢失,出现围绕辐照中心区域的边缘高事件计数环形探测图像。随着管电流的增大,无响应像素区域扩大,探测器总体事件计数明显降低。进一步根据泊松方程建立了CdZnTe晶体内部电势分布模型,仿真结果表明:单位面积光子通量为5×105 mm-2.s-1时,由于CdZnTe晶体较低的空穴迁移率,晶体内部存在堆积空穴载流子形成的高空间电荷密度分布区域。晶体内部电场产生扭曲,电子载流子无法迁移至对应阳极位置,导致辐照中心区...

• 出版日期2011
• 单位重庆大学; 中国工程物理研究院电子工程研究所